Enhancement of electrical activation of aluminum acceptors in 6H-SiC by co-implantation of carbon ions

大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人

Materials Science Forum, 353-356, p.575 - 578, 2001/00

シリコンカーバイド(SiC)半導体へのアクセプタ不純物導入の最適条件探索のため、注入濃度と温度を変化させてアルミニウム(Al)と炭素イオン(C)の共注入を行った。Alは室温~800で110,110及び510/cm、Cは室温または800で210~310/cmの範囲で注入した。ホール係数測定より注入層のホール濃度を求めたところ、Al注入濃度が110と110/cm試料の場合は、Cを210~510/cmの濃度で共注入した試料のホール濃度がアルミニウム単独の注入に比べ高く、両者とも共注入C濃度が110/cm付近でホール濃度は最大値を示した。これより共注入C濃度として110/cmが決定できた。また、Cを800で共注入した試料は室温注入試料に比べ高いホール濃度を示し、高温C共注入の有効性を明確にすることができた。一方、高濃度(510/cm)Al注入の場合は、C共注入によるホール濃度の変化は見られず、Alの高温注入によりホール濃度が高められることが確認できた。